골레타, 캘리포니아 및 신주 대만--(

/ )--견고한 GaN 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인

(나스닥: TGAN)와 어댑터 USB 전력 공급(PD) 컨트롤러 집적회로(IC) 분야의 글로벌 리더인

(Weltrend Semiconductor Inc.)(TWSE: 2436)는 두 가지 새로운 GaN 시스템 인 패키지(System-in-Package, SiP)를 출시한다고 오늘 발표했다. 작년에 발표된

와 결합하면 새로운 장치는 트랜스폼의 SuperGaN® 플랫폼에 기반한 최초의 SiP 제품군을 구축하게 된다.

새로운 SiP인 WT7162RHUG24B 및 WT7162RHUG24C는 웰트렌드의 고주파 멀티 모드(QR/밸리 스위칭) 플라이백 PWM 컨트롤러와 트랜스폼의 150mΩ 및 480mΩ SuperGaN FET를 각각 통합한 제품이다. 240mΩ의 이전 모델(WT7162RHUG24A)과 마찬가지로 이들 장치는 USB PD 또는 프로그래밍 가능한 전원 어댑터 컨트롤러와 페어링되어 토탈 어댑터 솔루션을 제공한다. 주목할 점은 이들 장치가 여러 혁신적 기능도 제공한다는 사실이다. 그중 UHV 밸리 추적 충전 모드, 적응형 OCP 보정, 적응형 그린 모드 제어 등은 고객이 가장 단순한 설계 방식을 사용하여 더 적은 부품으로 더 빠르게 고품질 전원 공급 장치를 설계하도록 지원한다.

웰트렌드의 마케팅 담당 부사장인 웨인 로(Wayne Lo)는 “작년에 첫 GaN SiP를 출시했을 때가 우리 회사의 발전에 있어 중요한 이정표였다. AC-DC 전력 시장에 대한 새로운 GTM 전략을 보여줬다”며 “오늘의 소식은 우리가 보다 다양한 제품 성능 수준 모음을 지원하도록 설계된 더 넓은 범위의 장치를 통해 해당 시장에 계속 서비스를 제공하고 있음을 확인시켜 준다”고 밝혔다. 이어 그는 “트랜스폼의 SuperGaN 플랫폼이 적용된 토털 패키지 솔루션은 설계 간소화와 함께 30와트의 저전력 USB-C PD 전원 어댑터부터 200와트에 가까운 충전기까지 다양한 장치에 비할 데 없는 성능을 제공하는데, 이는 트랜스폼 GaN만의 독보적인 기능”이라고 강조했다.

최종 제품 제조업체는 다용도성, 고속 충전, 더 높은 전력 출력을 제공하며 부품 명세서(BOM)가 축소된 새로운 어댑터를 개발하는 방법을 모색한다. 또한 많은 경우 여러 포트 및/또는 여러 유형의 연결이 가능한 ‘만능’ 충전기를 제공할 방법을 찾는다. 그리고 이 모든 것이 더 작고 가벼운 폼 팩터로 제공돼야 한다.

트랜스폼의 노멀리 오프(normally-off) d 모드 SuperGaN 플랫폼의 몇 가지 주요 장점으로는 동급 최고의 견고성(+/- 20V 게이트 마진과 4V 잡음 내성), 실리콘 대비 전력 밀도를 50%까지 높일 수 있는 안정성(<0.05 FIT)을 들 수 있다. 웰트렌드의 우아한 SiP 디자인은 이러한 장점과 자체 혁신 기술을 활용하여 설계 속도를 높이는 거의 플러그 앤 플레이에 가까운 솔루션을 만들면서 폼 팩터 크기를 줄였다.

트랜스폼의 전 세계 영업 및 FAE 담당 부사장 투샤르 다야구데(Tushar Dhayagude)는 “SiP는 어댑터 및 충전기 제조업체의 요구 사항을 고려할 때 중요한 장치 옵션”이라며 “이러한 시스템에는 효과적인 전력 변환이 필수이며, 통합된 기능과 함께 사용하기 간편하면서도 학습 곡선을 최소화하여 빠르게 설계할 수 있어야 한다. 첫 번째 출시된 장치로 SuperGaN SiP의 성능과 다용도성을 검증했다”고 설명했다. 이어 “오늘 발표된 새로운 장치는 고객에게 선택권을 제공하려는 양사의 노력이 더욱 심화되고 있음을 확인해준다”고 덧붙였다.

(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드:

)

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웰트렌드의 SuperGaN SiP 제품군은 스마트폰, 태블릿, 노트북, 헤드폰, 드론, 스피커, 카메라 등의 모바일/IoT 장치를 위한 고성능, 로우 프로파일 USB-C 전원 어댑터에 최적화돼 있다.

추가 장치 사양은 아래의 데이터시트에서 참고하면 된다.

· WT7162RHUG24A (240 mΩ):

· WT7162RHUG24B (150 mΩ):

· WT7162RHUG24C (480 mΩ):

두 가지 새로운 장치(WT7162RHUG24B 및 WT7162RHUG24C)는 현재 샘플 제공 중이다. 자세한 내용은 [email protected]으로 문의하십시오.

트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 됐다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다. 웹페이지:

팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN

1989년에 ‘대만의 실리콘밸리’로 불리는 신주 과학단지(Hsinchu Science Park)에 설립된 웰트렌드 세미컨덕터(대만증권거래소: 2436)는 선도적인 팹리스 반도체 회사로 전원 공급 장치, 모터 제어, 이미지 처리와 다양한 애플리케이션 전반에 사용되는 혼합 신호/디지털 IC 제품의 기획, 설계, 테스트, 애플리케이션 개발 및 유통을 전문으로 한다. 웹사이트:

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.

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